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鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）

鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）
  • 鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）
鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）基本信息
分子式Ta-BN
純度99.9%
CAS號
摩爾質(zhì)量
密度
熔點
沸點
溶解性（水）

鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）產(chǎn)品概況

鉭摻氮化硼靶材（Ta-BN）產(chǎn)品應(yīng)用

高純鉭濺射靶材廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)品制造業(yè)中，鉭可作為集成電路中銅與硅基板的阻隔層材料,以防止銅與硅擴散生成銅硅合金影響電路性能，采用鉭靶材通過物理氣相沉積技術(shù)濺射鉭到硅片上。摻雜的氮化硼薄膜具有、介電常數(shù)小、寄生電容小、工作溫度高、抗高能粒子輻射、耐腐蝕等優(yōu)點,且材料的擊穿電壓較高,使得器件更適合在高溫、強輻射等惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。

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