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碳化硅靶材(SiC)

碳化硅靶材(SiC)
  • 碳化硅靶材(SiC)
碳化硅靶材(SiC)基本信息
分子式SiC
純度99.5%
CAS號409-21-2
摩爾質量40.097
密度3.22 g/cm3
熔點2830 °C
沸點
溶解性(水)

碳化硅靶材(SiC)產品概況

碳化硅靶材(SiC)產品應用

碳化硅是第三代半導體材料,具有帶隙寬、熱導率高、電子的飽和飄移速度大、臨界擊穿電場高和介電常數低、化學穩(wěn)定性好等特點,在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件和紫外探測器燈方面具有廣泛應用場景。

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