科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意組合材料定制,
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碳化硅靶材(SiC)基本信息 | |
分子式 | SiC |
純度 | 99.5% |
CAS號 | 409-21-2 |
摩爾質量 | 40.097 |
密度 | 3.22 g/cm3 |
熔點 | 2830 °C |
沸點 | |
溶解性(水) |
碳化硅靶材(SiC)產品應用 |
碳化硅是第三代半導體材料,具有帶隙寬、熱導率高、電子的飽和飄移速度大、臨界擊穿電場高和介電常數低、化學穩(wěn)定性好等特點,在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件和紫外探測器燈方面具有廣泛應用場景。